Silicium Photodiode

Ref:203348
- Type : silicium- Surface active : 3,6 x 3,6 mm- Gamme spectrale : 350 - 1100 nm- Temps de montée : 14 ...  Read more
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Data sheet Silicium Photodiode

Other Specifications

- Type : silicium
- Surface active : 3,6 x 3,6 mm
- Gamme spectrale : 350 - 1100 nm
- Temps de montée : 14 ns
- Puissance équivalente de bruit (NEP) : 1.6 x 10-14 W/√Hz
- Bande passante : 25 MHz
- Courant d'obscurité : max. 6 nA, typ. 0,35 nA
- Capacitance de jonction : 40 pF
- Tension : 10 V
- Connectique : sortie BNC
- Alimentation : 1 pile A23 (fournie)
- Maintien : 2 filetages femelles pour M4 - montage sur tige possible

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